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NTS4172N
TYPICAL CHARACTERISTICS
700
600
500
400
300
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
Q gs
Q gd
QT
200
100
0
0
C rss
2
C oss
4 6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
1.5
1.0
0.5
0
0
1.0
2.0
3.0
I D = 1.7 A
T J = 25 ° C
4.0
5.0
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Charge
1000
100
V DD = 15 V
I D = 1.7 A
V GS = 4.5 V
t d(off)
1.5
1.0
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t f
10
t r
t d(on)
0.5
1.0
1.0
10
100
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9 1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
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